法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-10-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/34 申请日:20190612
实质审查的生效
2019-09-13
公开
公开
机译: -iii-氮化物-半导体晶体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体的制备方法,基于氮化镓的化合物半导体,发光器件由基于氮化镓的化合物半导体和使用的光源,发光半导体器件
机译: 基于氮化镓的半导体激光器件以及制造基于氮化镓的半导体激光器件的方法
机译: 单结晶氮化镓局部化的基质及其制备方法,涉及具有单个结晶氮化镓生长的局部区域的单晶硅基质