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公开/公告号CN108999101B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-12-04
原文格式PDF
申请/专利权人 华东交通大学;
申请/专利号CN201810988484.3
发明设计人 冯青松;辛伟;杨舟;
申请日2018-08-28
分类号E01F8/00(20060101);
代理机构11489 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙);
代理人陈超
地址 330013 江西省南昌市双港东大道808号
入库时间 2022-08-23 11:24:16
机译: 以及一种集成电路存储器件,其包括具有写访问晶体管和单独的读取和(GLTRAM)单元的基于相同的栅极型基于横向晶闸管的随机存取存储器
机译: 一种具有硫化铁矿型晶体结构的固态电池中基于硫化物的固定电解质的生产方法
机译: 一种基于二维光子晶体和横向耦合至磁光RESOSAR的波导的紧凑型光学按键
机译:通过诱导密集的晶体缺陷和缺陷声子散射来提高p型重掺杂Cu的多晶SnSe的热电性能
机译:基于离子型声子晶体的微波波段表面声子极化子的模拟
机译:基于声子晶体的液体传感器受局部缺陷共振控制
机译:金红石型二氧化钛的带电点缺陷:从缺陷电荷分布到缺陷声子自由能。
机译:通过诱导强烈的晶体缺陷和缺陷声子散射来提高p型重掺杂Cu的多晶SnSe的热电性能
机译:通过基于支柱的声子晶体中的线缺陷对表面声波进行面内限制和波导
机译:介质晶体中扩展缺陷对热声子的散射