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具有分离预充电控制的高速伪双端口存储器

摘要

提供了一种伪双端口(PDP)存储器诸如PDP SRAM,独立地控制位线预充电和感测放大器预充电以提高存储器操作速度同时消除或减少急剧短路电流的放电。

著录项

  • 公开/公告号CN107750380B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-12-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201680035805.7

  • 发明设计人 N·N·德塞;T·C·Y·郭;晶昌镐;

    申请日2016-05-18

  • 分类号G11C7/08(20060101);G11C7/12(20060101);G11C11/419(20060101);

  • 代理机构11256 北京市金杜律师事务所;

  • 代理人王茂华;张宁

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 11:24:03

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