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具有分离预充电控制的高速伪双端口存储器

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摘要

提供了一种伪双端口(PDP)存储器诸如PDP SRAM，独立地控制位线预充电和感测放大器预充电以提高存储器操作速度同时消除或减少急剧短路电流的放电。

1. 具有分离预充电控制的高速伪双端口存储器 [P] . 中国专利： CN107750380B . 2020.12.04
2. 具有分离预充电控制的高速伪双端口存储器 [P] . 中国专利： CN107750380A . 2018-03-02
3. High speed pseudo dual port memory with separate precharge control [P] . 日本专利： JP2018522362A . 2018-08-09

机译：具有独立预充电控制的高速伪双端口存储器
4. HIGH-SPEED PSEUDO-DUAL-PORT MEMORY WITH SEPARATE PRECHARGE CONTROLS [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3311385B1 . 2019-07-17

机译：带有独立预充电控制的高速伪双端口存储器
5. HIGH-SPEED PSEUDO-DUAL-PORT MEMORY WITH SEPARATE PRECHARGE CONTROLS [P] . 欧洲知识产权局专利： EP3311385A1 . 2018-04-25

机译：带有独立预充电控制的高速伪双端口存储器