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一种基于共振腔的光发射--四象限光探测集成芯片

摘要

一种基于共振腔的光发射‑‑四象限光探测集成芯片,属于半导体光电子领域。包括四象限光探测区域,光发射区,四象限光探测区的接触电极,光发射区的接触电极,四象限光探测区的压焊电极,光发射区的压焊电极,将光发射区以及各四象限光探测区之间相互隔离的隔离层。本发明是将光发射区和光探测区集成在一块芯片上,模块体积小;光发射区和探测区具有相同的谐振腔和有源区,提高了对光的探测效率和抗干扰能力;由于芯片采用了共振腔结构,四象限光探测区的有源区厚度远小于传统PIN结构有源区的厚度,光生载流子渡越有源区的时间大为降低,提高了探测器的响应速度。

著录项

  • 公开/公告号CN110534589B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN201910752050.8

  • 发明设计人 李建军;周晓倩;

    申请日2019-08-15

  • 分类号H01L31/0216(20140101);H01L31/0232(20140101);H01L31/0352(20060101);H01L31/09(20060101);

  • 代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘萍

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2022-08-23 11:23:20

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