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一种生长薄膜光致发光光谱的原位检测装置及方法

摘要

本发明属于半导体材料制造设备技术领域,公开了一种生长薄膜光致发光光谱的原位检测装置,该装置包括薄膜生长反应室、脉冲激光模块、光学组件、光电开关模块、光谱仪、数据计算单元、工作信号电路;光电开关模块和光谱仪的信号输出端与数据计算单元连接,数据计算单元的输出端与光谱仪和脉冲激光模块连接,用于所述脉冲激光器在对准基片起始位置时开始周期性发光,以及控制所述光谱仪与脉冲激光器同步开始采集光谱,本发明还提供了一种在线实时检测基片光致发光光谱的方法。本发明能准确在线采集基片生长过程中的光致发光光谱,采集效率高,光谱数据准确,可以广泛应用于半导体材料在线检测领域。

著录项

  • 公开/公告号CN107271407B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 佛山科学技术学院;

    申请/专利号CN201710433763.9

  • 发明设计人 严冬;

    申请日2017-06-09

  • 分类号G01N21/63(20060101);

  • 代理机构14110 太原晋科知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人赵江艳

  • 地址 528000 广东省佛山市禅城区江湾一路18号

  • 入库时间 2022-08-23 11:22:29

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