公开/公告号CN100405543C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-07-23
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;
申请/专利号CN200610029276.8
申请日2006-07-21
分类号H01L21/02(20060101);H01L21/822(20060101);H01L21/00(20060101);
代理机构31002 上海智信专利代理有限公司;
代理人潘振甦
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 09:01:03
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-07-23
授权
授权
2007-02-28
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-01-03
公开
公开
机译: 一种与CMOS工艺兼容的高增益垂直双极结型晶体管结构的制作方法
机译: 与CMOS工艺兼容的高增益垂直双极结型晶体管结构的制作方法
机译: 与CMOS工艺兼容的高增益垂直双极结型晶体管结构的制作方法