高兼容CMOS工艺嵌入EEPROM技术

摘要

电可擦除只读存储器是非易失性存储器.文章介绍了高兼容常规CMOS工艺的一种嵌入式电可擦除只读存储器设计与工艺技术,对电可擦除只读存储器单元、高压MOS器件的结构与技术进行了研究.研究结果表明,我们设计的0.8μ m电可擦除只读存储器单元Vpp电压在13V～15V之间能够正常工作,擦写时间小于500μs,读出电流大于160μA/μm;在普通CMOS工艺基础上增加了BN+埋层、隧道窗口工艺,成功应用于含嵌入电可擦除只读存储器的可编程电路的设计与制造.