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基于体硅MEMS工艺的太赫兹波导双工器及其制作方法

摘要

本发明涉及一种基于体硅MEMS工艺的太赫兹波导双工器及其制作方法,属于太赫兹通信和成像技术领域。太赫兹波导双工器是空心腔体结构,采用体硅MEMS工艺制备,包括第一波导带通滤波器、第二波导带通滤波器和T形波导结。第一波导带通滤波器的第一输出端口和第二波导带通滤波器的第二输出端口分别连接T形波导结的两个水平枝节的输入端口。本发明能良好工作在太赫兹频段,具有结构紧凑和高性能的特点,适用于太赫兹通信系统或者太赫兹成像系统。

著录项

  • 公开/公告号CN107611541B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京理工大学;

    申请/专利号CN201710748867.9

  • 申请日2017-08-28

  • 分类号H01P1/208(20060101);H01P11/00(20060101);B81C3/00(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100081 北京市海淀区中关村南大街5号

  • 入库时间 2022-08-23 11:22:06

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