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一种基于低场磁共振T2弛豫的磁纳米粒子温度计算方法

摘要

本发明公开了一种基于低场磁共振T2弛豫的磁纳米粒子温度计算方法,属于磁纳米材料测试技术领域。本发明将可以作为T2造影剂的磁纳米粒子作为温度到磁场转换的媒介,进而建立T2弛豫时间的温度特性。磁纳米粒子具有良好的温度敏感性,可以使得得到T2弛豫时间与温度具有线性关系,通过测量T2弛豫时间反映出温度变化,实现高精度测温。本发明利用在不同温度下测量磁纳米粒子的M‑H磁化曲线,求取磁纳米粒子感应磁化强度温度敏感性的磁场依赖性,并据此优选和低场磁共振仪主磁场适配的磁纳米粒子,最大化磁纳米粒子感应磁化强度的温度敏感性,实现高精度测温。

著录项

  • 公开/公告号CN110987224B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-11-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN201911238153.9

  • 发明设计人 刘文中;张亚鹏;

    申请日2019-12-05

  • 分类号G01K7/36(20060101);

  • 代理机构42201 华中科技大学专利中心;

  • 代理人李智

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2022-08-23 11:21:57

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