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光子晶体波导分布反馈激光器及制作方法

摘要

一种平面型光子晶体波导分布反馈激光器,其中包括:一衬底;一过渡层用金属有机化学气相淀积方法生长在衬底上;一InGaAsP下势垒层生长在过渡层上;一多量子阱有源区生长在InGaAsP下势垒层上;一InGaAsP上势垒层生长在多量子阱有源区上;该下势垒层、量子阱有源区、上势垒层三层构成激光器的波导区;一一维λ/4相移光栅用电子束曝光和反应离子刻蚀的方法刻蚀在InGaAsP上势垒层上;一InP包层生长在一维λ/4相移光栅上;一InGaAs欧姆接触层生长在InP包层上;一二维光子晶体制作在InGaAs欧姆接触层上面的两侧;一电极制作在InGaAs欧姆接触层的中间;解理成单个管芯。

著录项

  • 公开/公告号CN100399656C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN200510075408.6

  • 申请日2005-05-31

  • 分类号H01S5/20(20060101);H01S5/323(20060101);H01S5/343(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-08-10

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/20 授权公告日:20080702 终止日期:20100531 申请日:20050531

    专利权的终止

  • 2008-07-02

    授权

    授权

  • 2007-01-31

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-12-06

    公开

    公开

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