氮化硅膜层剥离过程中调控多晶硅膜层之膜厚的方法

摘要

本发明公开一种氮化硅膜层剥离过程中调控多晶硅膜层之膜厚的方法，包括：步骤S1：提供硅基衬底，并沉积底层耦合氧化物膜层、多晶硅膜层、氮化硅膜层；步骤S2：配制含有HNO₃溶液的H₃PO₄溶液；步骤S3：将其浸入溶液；步骤S4：根据多晶硅膜层的蚀刻量，调控多晶硅膜层之膜厚和均匀度。本发明根据多晶硅膜层的刻蚀率要求进行溶液之质量配合比设置，依据多晶硅膜层之膜厚及刻蚀后目标厚度值进行浸入高度设置，以及根据多晶硅膜层的刻蚀量及前馈量测的多晶硅膜层之厚度设置工艺制程时间，以实现氮化硅膜层的剥离和准确的控制多晶硅膜层的膜厚及均匀度，不仅操作简单、实施方便，而且可以通过多晶硅膜层的厚度和均匀度控制极大的提升产品良率，值得业界推广应用。