首页> 中国专利> 不接触式温度测量传感器及其制造方法、半导体芯片

不接触式温度测量传感器及其制造方法、半导体芯片

摘要

本发明涉及到借助于涂在薄膜上和/或下的热敏区测量温度的传感器及其制造方法、包含有这种传感器的半导体芯片,其中将薄膜安排在洞的上面。洞是这样通过反应的离子蚀刻方法蚀刻出来的,洞的侧面是完全通过与薄膜安排成80°和100°之间的一个角度的侧壁包围着,其中将相邻的侧壁相互安排成至少80°的一个角度。从而在同样灵敏度时,这种传感器比已知传感器用尽可能小的尺寸构成,或者在同样尺寸情况下构成比较灵敏的传感器。

著录项

  • 公开/公告号CN100408990C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 帕尔金艾光电子股份有限公司;

    申请/专利号CN02131600.7

  • 申请日2002-09-10

  • 分类号G01J5/20(20060101);G01J5/10(20060101);G01J5/12(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人郑立柱;张志醒

  • 地址 联邦德国韦斯巴登

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-28

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01J5/20 授权公告日:20080806 终止日期:20190910 申请日:20020910

    专利权的终止

  • 2013-09-18

    专利权的转移 IPC(主分类):G01J5/20 变更前: 变更后: 登记生效日:20130823 申请日:20020910

    专利申请权、专利权的转移

  • 2013-09-18

    专利权的转移 IPC(主分类):G01J 5/20 变更前: 变更后: 登记生效日:20130823 申请日:20020910

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-10-19

    专利权的转移 IPC(主分类):G01J5/20 变更前: 变更后: 登记生效日:20110908 申请日:20020910

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-10-19

    专利权的转移 IPC(主分类):G01J5/20 变更前: 变更后: 登记生效日:20110908 申请日:20020910

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-10-19

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G01J5/20 变更前: 变更后: 申请日:20020910

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2011-10-19

    专利权的转移 IPC(主分类):G01J 5/20 变更前: 变更后: 登记生效日:20110908 申请日:20020910

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-10-19

    专利权的转移 IPC(主分类):G01J 5/20 变更前: 变更后: 登记生效日:20110908 申请日:20020910

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-10-19

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):G01J 5/20 变更前: 变更后: 申请日:20020910

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2008-08-06

    授权

    授权

  • 2008-08-06

    授权

    授权

  • 2004-11-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-11-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-07-21

    公开

    公开

  • 2004-07-21

    公开

    公开

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