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半导体芯片的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体芯片及半导体装置

摘要

一种半导体芯片的制造方法,包括:从具有表面及背面且在表面上形成有功能元件的半导体基板的表面,形成沿该半导体基板的厚度方向延伸的表面侧凹处的工序;向该表面侧凹处内供给金属材料,形成与功能元件电连接的表面侧电极的表面侧电极形成工序;从背面去除半导体基板,将半导体基板薄形化至比表面侧凹处的深度大的所定厚度的薄型化工序;在该薄型化工序之后,通过在半导体基板的背面形成与表面侧凹处连通的背面侧凹处,从而形成包括表面侧凹处和背面侧凹处在内的连续的贯通孔的背面侧凹处形成工序;向背面侧凹处供给金属材料,形成与表面侧电极电连接的、与表面侧电极一起构成贯通半导体基板的贯通电极的背面侧电极形成工序。

著录项

  • 公开/公告号CN100383937C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-04-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200410044584.9

  • 发明设计人 谷田一真;根本义彦;田中直敬;

    申请日2004-05-13

  • 分类号H01L21/44(20060101);H01L21/60(20060101);H01L21/50(20060101);H01L25/065(20060101);H01L25/07(20060101);H01L25/18(20060101);H01L27/00(20060101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汪惠民

  • 地址 日本京都府

  • 入库时间 2022-08-23 09:00:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-29

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/44 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 申请日:20040513

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2017-12-29

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/44 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 申请日:20040513

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2017-12-15

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/44 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 申请日:20040513

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2017-12-15

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  • 2017-12-15

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  • 2014-10-29

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/44 变更前: 变更后: 登记生效日:20141010 申请日:20040513

    专利申请权、专利权的转移

  • 2014-10-29

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  • 2014-10-29

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  • 2014-10-29

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  • 2014-10-29

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  • 2014-10-29

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  • 2014-10-29

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  • 2008-04-23

    授权

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  • 2008-04-23

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  • 2008-04-23

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  • 2006-05-24

    实质审查的生效

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  • 2006-05-24

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  • 2006-05-24

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  • 2006-05-24

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  • 2005-12-21

    专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移 变更前: 变更后: 变更前: 变更后: 登记生效日:20051104 申请日:20040513

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  • 2005-12-21

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  • 2005-12-21

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  • 2005-12-21

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  • 2005-12-21

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  • 2005-12-21

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  • 2005-12-21

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  • 2005-12-21

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  • 2005-12-21

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  • 2005-12-21

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  • 2004-12-01

    公开

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  • 2004-12-01

    公开

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  • 2004-12-01

    公开

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  • 2004-12-01

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