一种氧化镓基金属-氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明属于半导体器件制备技术领域，提供了一种氧化镓基金属‑氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法。以半绝缘氧化镓单晶为基体，其表面依次为非掺杂氧化镓层、锡层和图形化锡层；未被图形化锡层覆盖的锡层表面为氧化物介质层，氧化物介质层与图形化锡层间形成开口，开口数量是成对的，开口区域小于图形化锡层区域；开口区域的表面依次为钛层和金层，分别作为源电极和漏电极；氧化物介质层表面依次为钛层和金层，作为栅电极。本发明提出了一种有效而简便的工艺制造技术，解决了高性能氧化镓基金属‑氧化物半导体场效应晶体管的制备难题，实现新型氧化镓基金属‑氧化物半导体场效应晶体管的研制。