具有表面击穿保护的低压穿通双向瞬态电压抑制器件及其制造方法

摘要

提供了一种双向瞬态电压抑制器件。该器件包括：p+型导电性的下半导体层(14)；p+型导电性的上半导体层(18)；n型导电性的中间半导体层(16)，与上和下层邻接并设置在两者之间由此形成上和下p-n结；台面沟槽(23)，延伸穿过上层、穿过中间层并穿过下层的至少一部分，由此台面沟槽(23)定义了器件的有源区；以及氧化层(19)，至少覆盖对应于上和下结的台面沟槽(23)的那部分侧壁，由此在侧壁处上和下结之间的距离增加。中间层(16)的净掺杂浓度在上和下p-n结之间的距离上的积分。也提供了这种器件的制造方法，包括：提供p++型半导体衬底(12)；在衬底上外延地淀积p+型导电性的下半导体层(14)；在下层上外延地淀积n型导电性的中间半导体层(16)，由此下层和上层形成下p-n结；在中间层(16)上外延地淀积p+型导电性的上半导体层(18)；加热衬底(12)、下外延层(14)、中间外延层(16)以及上外延层(18)；蚀刻出台面沟槽(23)延伸穿过上层(18)、穿过中间层(16)并穿过至少部分下层(14)，由此台面沟槽定义出器件的有源区；以及在至少对应于上和下结的台面沟槽(23)的那部分侧壁热生长氧化层(19)，增加了侧壁处上和下结之间的距离。