培养基及其在中央记忆型T淋巴细胞培养中的应用

摘要

本发明涉及干细胞培养技术领域，尤其涉及培养基及其在中央记忆型T淋巴细胞培养中的应用。本发明提供的培养基由基础培养基、mTOR抑制剂、白细胞介素‑2、白细胞介素‑7、白细胞介素‑12、白细胞介素‑15、白细胞介素‑1a、Anti‑CD3抗体和Anti‑CD28抗体组成。本发明培养基和培养方法可以提供高数量和比例的中央记忆型T淋巴细胞，实验表明，使用本发明提供的培养基可以扩增TCM达约100倍，在培养的20天中，第20天细胞数量最多，而第12天(样本B)TCM细胞的纯度最高。