待光刻基板、光刻模板、近场扫描光刻方法及装置

摘要

本发明公开了一种待光刻基板、光刻模板、近场扫描光刻方法及装置，在待光刻基板中设置第一双曲色散材料层，该第一双曲色散材料层位于第一基底与光刻胶之间，可以限制通过光刻胶层的局域光场的发射，在光刻模板中设置第二双曲色散材料层，该第二双曲色散材料层位于光刻胶层的入光侧，可以在局域光场入射光刻胶层前限制局域光场的发散，故采用本发明技术方案所述待光刻基板和所述光刻模板，可以延长近场扫描光刻中的焦深，可以提高光刻胶层的曝光质量，并大大提高近场扫描光刻的有效工作距离。