磷化铟基光电子器件中楔形腔和平行腔结构实现方法

摘要

本发明涉及一种InP(磷化铟)基光电子器件，特别涉及此器件中的楔形腔和平行腔的实现方法。本发明特征在于利用选择性腐蚀在InP基半导体外延层上实现具有特定倾角的楔形结构，以及实现基于空气隙的平行腔结构。其中楔形结构的倾角可以通过选择不同的腐蚀液的组分比例来调节。本发明涉及的方法具有与半导体集成工艺兼容的特点，势将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而深远的影响。