公开/公告号CN110488358B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-10-16
原文格式PDF
申请/专利号CN201910783855.9
申请日2019-08-23
分类号G01V3/10(20060101);
代理机构11606 北京华进京联知识产权代理有限公司;
代理人王程
地址 100084 北京市海淀区清华园1号
入库时间 2022-08-23 11:17:27
机译: FinFET具有sigma凹陷的源极/漏极和未掺杂的缓冲层外延,可实现均匀的结形成
机译: FinFET具有sigma凹陷的源极/漏极和未掺杂的缓冲层外延,可实现均匀的结形成
机译: FinFET具有sigma凹陷的源极/漏极和未掺杂的缓冲层外延,可实现均匀的结形成