公开/公告号CN110488358A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-11-22
原文格式PDF
申请/专利号CN201910783855.9
申请日2019-08-23
分类号G01V3/10(20060101);
代理机构11606 北京华进京联知识产权代理有限公司;
代理人王程
地址 100084 北京市海淀区清华园1号
入库时间 2024-02-19 16:11:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-17
实质审查的生效 IPC(主分类):G01V3/10 申请日:20190823
实质审查的生效
2019-11-22
公开
公开
机译: FinFET具有sigma凹陷的源极/漏极和未掺杂的缓冲层外延,可实现均匀的结形成
机译: FinFET具有sigma凹陷的源极/漏极和未掺杂的缓冲层外延,可实现均匀的结形成
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