一种提高碲化镉薄膜太阳电池测试准确性的激光刻划技术

摘要

本发明为一种提高碲化镉薄膜太阳电池测试准确性的激光刻划技术，公开了一种精准定义碲化镉薄膜太阳电池面积的方法，属于化合物半导体薄膜太阳电池的结构设计技术领域。通过用脉冲Nd:YAG激光对具有完整器件结构的CdTe薄膜太阳电池进行激光刻划，可消除金属电极边缘残余吸收层材料CdTe的存在引起入射光的横向收集导致电流虚高，同时刻消除边缘残余碲化镉对器件串联电阻并联电阻造成的影响，从而提供一种经济可行的精准定义碲化镉薄膜太阳电池面积从而得到更为可信的电池效率曲线之方法。