基于纳米线的集成电路器件的间隔件及其制造方法

摘要

本发明实施例公开了基于纳米线的集成电路器件及其制造方法。示例性方法包括在衬底上方形成异质结构。形成横越异质结构的栅极结构，从而使得栅极结构将异质结构的源极区域和漏极区域分隔开，并且限定了源极区域和漏极区域之间的沟道区域。对异质结构实施源极/漏极纳米线释放工艺，以将纳米线释放在源极区域和漏极区域中。然后，在源极区域和漏极区域中形成纳米线间隔件。纳米线设置在纳米线间隔件之间。在栅极替换工艺期间，对异质结构实施沟道纳米线释放工艺，以将纳米线释放在沟道区域中。在栅极替换工艺之前，在源极区域和漏极区域中的纳米线和纳米线间隔件上方形成外延源极/漏极部件。