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利用聚对二甲苯制备单层石墨烯的方法

摘要

一种利用聚对二甲苯制备单层石墨烯的方法,包括以下步骤:将聚对二甲苯裂解后沉积在铜箔表面,作为固态碳源;将固态碳源和洁净铜箔放入双温区反应装置,其中固态碳源放在低温区,洁净铜箔放在高温区;反应装置抽真空后,将高温区升温至设置温度,通保护气和还原气体;将低温区升温至设置温度,反应结束后降温;关闭气体并将高温区降温至室温。本发明的利用聚对二甲苯制备单层石墨烯的方法可以降低石墨烯的制备成本,加快单层石墨烯制备技术的提升,提高单层石墨烯产业化的潜力。

著录项

  • 公开/公告号CN108793137B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-10-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201810999694.2

  • 申请日2018-08-29

  • 分类号C01B32/186(20170101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人喻颖

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 11:16:24

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