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公开/公告号CN110697696B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-13
原文格式PDF
申请/专利权人 西安交通大学;
申请/专利号CN201911013432.5
发明设计人 惠欣;胡廷伟;杨东;马飞;马大衍;徐可为;
申请日2019-10-23
分类号C01B32/188(20170101);
代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;
代理人朱海临
地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号
入库时间 2022-08-23 12:07:21
机译: 硅插层单层石墨烯的制备方法
机译: 在包含至少一种半导体材料的纳米颗粒上制备包含石墨烯的碳层的方法,以及在包含至少一种半导体材料,特别是金属氧化物和复合材料的纳米颗粒上制备包含石墨烯的碳层的反应容器
机译: 增溶石墨,以制备有用的还原石墨烯,例如制备电容器,包括用金属还原石墨以获得石墨插层化合物,并将该化合物暴露于溶剂以得到还原的石墨烯溶液。
机译:关于“单层石墨烯插层金属层-SiC衬底”系统中的电荷转移
机译:金属插层(金属= Al,Ag,Au,Pt和Pd)后SiC(0001)上外延石墨烯单层的电子结构:第一性原理研究
机译:用于制备高质量石墨烯的水热,插层和电化学方法的组合:表征和使用制备石墨烯 - 聚氨酯纳米复合材料
机译:石墨烯大面积和单层的合成:通过CVD方法的过渡金属载体和生长时间的作用
机译:金属模板上插层石墨烯(和其他2D材料)的表面电子动力学
机译:一种合成超导金属插层的C60和FeSe的新方法
机译:一种用于高能密度电化学电容器的碳球插层多孔石墨烯电极的新颖制备方法
机译:从溴和碘插层碳纤维中去除插层的方法