一种降低FinFET寄生电阻的方法

摘要

一种降低FinFET寄生电阻的器件结构及其制备方法，该方法包括：制备常规FinFET器件结构，包括制备FinFET硅鳍结构、由栅电极和栅介质层组成的栅叠结构和定义FinFET器件的源漏区域的分步骤；其中，常规FinFET器件结构包括由金属栅电极和栅介质层组成的栅叠结构分别从侧面和表面包裹FinFET硅鳍结构，形成MOSFET的三维沟道；在源漏区域制备催化剂层；生长碳纳米管，形成条形接触孔层M0；其中，条形接触孔层M0的下端覆盖并连接FinFET器件的源漏区域；碳纳米管包括单壁和多壁碳纳米管材料；实现FinFET器件的源漏引出及后道工艺制备，即使条形接触孔层M0的上端与金属层M1相连。