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公开/公告号CN110164997B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-29
原文格式PDF
申请/专利权人 山东大学;
申请/专利号CN201910484656.8
发明设计人 杨再兴;孙嘉敏;韩明明;
申请日2019-06-05
分类号H01L31/0304(20060101);H01L31/112(20060101);H01L31/18(20060101);B82Y30/00(20110101);
代理机构37219 济南金迪知识产权代理有限公司;
代理人杨磊
地址 250199 山东省济南市历城区山大南路27号
入库时间 2022-08-23 11:15:32
机译: 具有石墨烯空穴引出触点的高性能,高电子迁移率晶体管
机译: 光电发光器件(即基于氮化镓的LED)具有p掺杂的平面化层,允许径向注入纳米线中的空穴,以及n型硅衬底,允许轴向注入纳米线中的电子
机译: 基于具有高介孔和大孔率的活性炭的高性能吸附剂的制备方法,高性能吸附剂及其用途
机译:接近GaSb纳米线的空穴迁移率极限
机译:(110)和(111)Si纳米线中的低空穴传输质量是否会导致在高电场和高应力下迁移率增强:一项自洽的紧密结合研究
机译:基于原子波函数的纳米线表面粗糙度散射建模:在矩形锗纳米线中空穴迁移率中的应用
机译:高k /金属栅的全栅Si纳米线p-MOSFET中空穴迁移率的研究:氢热退火和纳米线形状的影响
机译:具有自洽价子带结构和高k绝缘体的应变锗和钒III p沟道反型层中的空穴迁移率。
机译:高性能阳极硫化 - 预处理门控P + -IN-M-N + INAS / GASB超晶格长波长红外探测器
机译:基于纳米线晶相模板的耦合Inas-Gasb量子点中的电子 - 空穴相互作用
机译:Gasb / Inas / Gasb量子阱中共存电子和空穴的密度和迁移率