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MoNb靶材

摘要

一种MoNb靶材。【技术问题】提供一种能够解决布线薄膜、电极薄膜的基底膜、覆盖膜上出现的高电阻的问题以及起因于溅射中靶材的表面粗糙度的结节的问题,能够形成低电阻、且适合于获得稳定的TFT特性的平面图像显示装置的MoNb薄膜的靶材。【解決手段】一种MoNb靶材,其具有含有5原子%~30原子%的Nb、余量为Mo和不可避免的杂质的组成,每200000μm2的溅射面中,具有超过70μm的最大长度的Nb相不足1.0个,Nb相的平均圆当量直径优选为15μm~65μm。

著录项

  • 公开/公告号CN109207941B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 日立金属株式会社;

    申请/专利号CN201810723639.0

  • 申请日2018-07-04

  • 分类号C23C14/34(20060101);C22C27/04(20060101);C22C1/04(20060101);B22F1/00(20060101);B22F3/14(20060101);

  • 代理机构11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘新宇;李茂家

  • 地址 日本东京都

  • 入库时间 2022-08-23 11:15:25

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