一种PDMS掩蔽技术制备硅槽的方法

摘要

本发明属于半导体制造工艺领域，涉及一种PDMS掩蔽技术制备硅槽的方法。步骤包括：制备具有PDMS掩蔽层的硅片基底、刻蚀硅槽和去除掩蔽层；在硅片基底的正面旋涂光敏PDMS，采用掩膜进行间隙曝光，后烘固化，光敏PDMS未曝光的部分被固化，光敏PDMS曝光部分保持原来状态；将未固化的PDMS用甲苯浸泡去除；将基片用异丙醇冲洗干净，后用氮气吹干，完成掩蔽层图形化；在硅片基底背面旋涂非光敏PDMS，烘干；将硅片基底放入35％‑45％的KOH溶液中刻蚀；将刻蚀完成的硅片基底放入浓硫酸中煮沸去除掩蔽层，得到硅槽。本发明采用PDMS作掩蔽层制备硅槽，其制作工艺简单、成本低、工艺重复性好，并且容易实现。