一种在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法

摘要

本发明提供了一种在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法，属于纳米科技技术领域。其包括以下步骤：在氧化硅衬底上剥离单层或多层的二维材料；将剥离的二维材料在高温下退火去除表面吸附；将剥离的或者直接生长的二维材料放入原子层沉积系统中进行若干个沉积循环生长氧化铝的沉积的原子层。本发明提供的在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法，能够通过物理吸附使氧化铝沉积在二维材料的表面，不仅简单方便，而且还可以避免在二维材料的表面引入杂质和缺陷，从而保持了其本征特性。