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公开/公告号CN109524283B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-18
原文格式PDF
申请/专利权人 中国工程物理研究院应用电子学研究所;
申请/专利号CN201811500564.6
发明设计人 张运俭;马宏舸;丁恩燕;秦风;赵刚;
申请日2018-12-10
分类号H01J23/24(20060101);
代理机构51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司;
代理人管高峰
地址 621000 四川省绵阳市游仙区919信箱1013分箱
入库时间 2022-08-23 11:14:16
机译: 适用于低功率,低噪声和高功率应用的微波异质结双极晶体管的制造方法
机译: 微波异质结双极晶体管,适用于低功率,低噪声和高功率应用
机译: 适用于低功率,低噪声和高功率应用的微波异质结双极晶体管及其制造方法
机译:具有强引导磁场和高功率微波的圆柱形波导中的相对论电子运动
机译:具有新型二极管结构的低磁场高效高功率微波源
机译:一种在低磁场下工作的新型大功率微波源
机译:没有外部引导磁场的同轴传输辐射振荡器被设计为在Ku波段产生高功率微波。
机译:一种基于低功率紧凑型核四极共振(NQR)的爆炸物检测系统。
机译:低功率和高功率微波辐射对红杉植物体外生长及其冷冻后恢复的影响
机译:低功率和高功率GaAs MESFET器件的热模型
机译:紧凑型脉冲功率和高功率微波器件