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一种双波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件

摘要

本发明提供了一种双波段低引导磁场紧凑型高功率微波器件,该方案包括有圆波导外筒、同轴内导体和阴极;圆波导外筒套设在同轴内导体外部;阴极设置在同轴内导体前端发射环形电子束;圆波导外筒上沿电子束传输方向依次设置有L波段器件和S波段器件;阴极发出的环形电子束在一次脉冲内经过L波段器件和S波段器件后能够同时辐射产生L,S波段的高功率微波。本发明大幅度降低了高功率微波源系统体积、重量,并可大幅度降低磁场对电源的能量需求。

著录项

  • 公开/公告号CN109524283B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201811500564.6

  • 申请日2018-12-10

  • 分类号H01J23/24(20060101);

  • 代理机构51214 成都九鼎天元知识产权代理有限公司;

  • 代理人管高峰

  • 地址 621000 四川省绵阳市游仙区919信箱1013分箱

  • 入库时间 2022-08-23 11:14:16

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