用于改善的切换效率的自旋轨道转矩位设计

摘要

一种用于非易失性存储器单元的方法；特别地，一种自旋轨道转矩MRAM(SOT‑MRAM)存储器单元，其降低切换单独位所需的电流。存储器单元包含具有第一纵轴的第一互连线、具有长轴的椭圆形MTJ位(“位”)以及第二互连线，其中该第二互连线具有垂直于第一互连线的第二纵轴。位包含极化自由层、势垒层以及极化参考层，该极化参考层具有钉扎为与长轴不同的角度的磁矩。通过将长轴设置为相对于所描述的第一纵轴和第二纵轴和参考层成角度，并且向互连线施加电压，可以在自由层与自旋电流或拉什巴场之间引起非零平衡角度，导致更加连贯的切换动力学。