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公开/公告号CN109632117B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-11
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州电子科技大学;
申请/专利号CN201910015098.0
发明设计人 樊凌雁;陈龙;袁志东;
申请日2017-05-24
分类号G01K7/00(20060101);H03K3/023(20060101);
代理机构33233 浙江永鼎律师事务所;
代理人陆永强
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区
入库时间 2022-08-23 11:13:22
机译: 频率稳定的低功率MOS振荡器集成电路-具有采样电压参考和片上稳压,用于RC多谐振荡器和输出电平恢复器
机译: --SoC基于片上总线的运行时硬件木马检测方法和基于片上总线的运行时硬件木马检测方法
机译:基于新型时间模式片上振荡器的高线性度和低功耗温度传感器
机译:具有数字补偿技术的12.77MHz 31 ppm /°C片上RC弛豫振荡器
机译:高精度片上RC振荡器,利用斩波放大器提供平均电压反馈
机译:2.9mW,+ /− 85ppm精度参考时钟发生器,基于RC振荡器的片上温度校准
机译:具有片上电路的低功耗cmos弛张振荡器设计,用于组合温度补偿的参考电压和电流生成。
机译:具有27.4ppm /°C温度稳定性的99nW 70.4kHz电阻频率锁定片上振荡器
机译:基于1.8V 18.13 MHz逆变器的片上RC振荡器,采用逻辑转换电压反馈闪烁噪声抑制
机译:一种高稳定温度补偿晶体振荡器的新方法