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公开/公告号CN109459148B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-09-08
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所;
申请/专利号CN201811341023.3
发明设计人 陶金;梁中翥;孟德佳;梁静秋;秦余欣;吕金光;史晓燕;秦正;
申请日2018-11-12
分类号G01J5/58(20060101);G01J5/02(20060101);
代理机构22214 长春众邦菁华知识产权代理有限公司;
代理人王丹阳
地址 130033 吉林省长春市东南湖大路3888号
入库时间 2022-08-23 11:13:07
机译: 薄层体声谐振器,能够通过根据区域不同地构成包含FBAR的压电层的厚度及其制造方法来增强FBAR的频率特性
机译: 电测量表面等离子体谐振传感器,电测量表面等离子体谐振传感器芯片和表面等离子体偏振片变化检测方法
机译: 基于压电薄膜谐振器(FBAR)的气相化学传感器
机译:外部膨胀应力对基于聚合物涂膜散装声谐振器(FBAR)的挥发性有机化合物(VOC)传感器频率特性的影响
机译:基于引导波表面等离子体谐振的全光学偏振控制纳米传感器开关通过近红外线分子泛谐射刺激
机译:一种用于超红外区域的基于超表面的宽带准非色散交叉偏振转换器
机译:基于薄膜体声波谐振器(FBAR)的红外传感器
机译:SnO2室温气体传感器在纳米结构表面上的传感特性和机理。
机译:可见区域中基于透射阵列基于超表面的可调谐偏振器和高性能生物传感器
机译:气相传感器传感器用六甲基二硅氧烷(HMDSO)涂覆的瑞利表面声波(SAW)谐振器的温度频率特性
机译:基于具有倾斜c轴取向的alN,ZnO和GaN薄膜的双模薄膜体声波谐振器(FBaR)