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用于GaN垂直微腔面发射激光器(VCSEL)的方法

摘要

描述了用于形成具有100nm以下孔径的高度均匀和高孔隙率的氮化镓层的结构和方法。使用浓硝酸中低偏压下重度掺杂的氮化镓的电化学蚀刻来形成多孔氮化镓。多孔层可用于集成光学器件如VCSEL和LED的反射结构。

著录项

  • 公开/公告号CN107078190B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 耶鲁大学;

    申请/专利号CN201580060899.9

  • 发明设计人 韩重;张成;

    申请日2015-09-30

  • 分类号H01L33/32(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人蔡胜有;苏虹

  • 地址 美国康涅狄格州

  • 入库时间 2022-08-23 11:12:51

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