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一种氮化钛多孔导电陶瓷的制备方法

摘要

本发明是一种氮化钛多孔导电陶瓷的制备方法,即:先将分散剂、胶凝剂配置为组合助剂,加入陶瓷粉体及烧结助剂,搅拌混合均匀后制备出陶瓷料浆,再注入模具中,经固化成型、干燥,制备得到陶瓷坯体,再在特定的排胶制度下进行排胶热处理,选用场助烧结或无压烧结中的一种,在设定的温度及气氛下进行烧结,得到所述的TiN多孔导电陶瓷。该多孔陶瓷的孔隙率为30~70%,孔径尺寸1~20μm,抗弯强度为15~150MPa,电导率为8~25×103S/m。本发明在制备过程中避免了高温氮化过程,所得氮化钛多孔陶瓷纯度更高,孔隙率高,孔径分布均匀,结构可控,且可降低烧结温度,成本低廉,工艺简单,操作方便。

著录项

  • 公开/公告号CN107963890B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-09-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉理工大学;

    申请/专利号CN201711239977.9

  • 发明设计人 陈斐;黄梅;沈强;张联盟;

    申请日2017-11-30

  • 分类号C04B35/58(20060101);C04B35/622(20060101);C04B38/06(20060101);H01B1/06(20060101);H01B13/00(20060101);

  • 代理机构42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司;

  • 代理人王守仁

  • 地址 430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

  • 入库时间 2022-08-23 11:12:10

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