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一种用于集成电路老化可靠性的筛选方法及片上测量系统

摘要

本发明公开一种用于集成电路老化可靠性的筛选方法及片上测量系统,该系统由可配置环形振荡器、边沿检测电路及测试与控制模块组成;可配置环形振荡器中的返回路径用于校准为一个时钟周期,可配置环形振荡器器中的匹配路径用于配置缓冲器路径的时延与关键路径时延相同,边沿检测电路用于匹配路径的校准过程,测试与控制模块用于控制整个测量系统的工作模式。本发明的测量系统可以在不同供电电压下对关键路径时延进行精确测量;可以对集成电路关键路径的老化速度进行预测。该老化可靠性筛选方法可以实现对集成电路进行快速老化可靠性筛选。此外,所设计的片上测量系统能够在电路正常运行时对关键路径进行时延测量,可以实时监测集成电路的老化程度。

著录项

  • 公开/公告号CN109581184B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京航空航天大学;

    申请/专利号CN201811346036.X

  • 发明设计人 王晓晓;于丽婷;苏东林;谢树果;

    申请日2018-11-13

  • 分类号G01R31/28(20060101);

  • 代理机构11232 北京慧泉知识产权代理有限公司;

  • 代理人王顺荣;唐爱华

  • 地址 100191 北京市海淀区学院路37号

  • 入库时间 2022-08-23 11:10:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-25

    授权

    授权

  • 2019-04-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/28 申请日:20181113

    实质审查的生效

  • 2019-04-05

    公开

    公开

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