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空穴注入薄膜及其制备方法和有机发光二极管及其制备方法

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本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及空穴注入薄膜及其制备方法和有机发光二极管及其制备方法，本发明提供的空穴注入薄膜，包括CuSCN和聚(3,4‑亚乙二氧基噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)。本发明所述的空穴注入薄膜可以提高发光二极管的发光效率和使用寿命；根据实施例的记载，本发明所述空穴注入薄膜制备得到的发光二极管的最高发光效率可达56.6cd·A

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公开/公告号CN110190199B

专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-18

原文格式PDF
申请/专利权人上海大学;
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申请/专利号CN201910500021.2
发明设计人朱文清;张沛;殷正元;万敏强;刘丹;王梦狄;张建华;
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申请日2019-06-11
分类号
代理机构北京高沃律师事务所;
代理人董大媛
地址 200072 上海市静安区延长路149号
入库时间 2022-08-23 11:09:57

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-18

授权

授权
2019-09-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/50 申请日:20190611

实质审查的生效
2019-08-30

公开

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