一种介电常数可调中低介电常数氮化硅陶瓷及其制备方法

摘要

本发明涉及一种介电常数可调中低介电常数氮化硅陶瓷及其制备方法，所述氮化硅陶瓷由Si₃N₄、Al₂O₃、Nd₂O₃以及BaTiO₃四种起始原料烧结而成，在起始原料中，Al₂O₃和Nd₂O₃合计的质量百分比为5～10%，BaTiO₃的质量百分比为20%以下，优选为5～20%。本发明中，BaTiO₃用以调控介电常数，Al₂O₃和Nd₂O₃为烧结助剂，可以降低烧结温度，从而充分发挥BaTiO₃的掺杂效果。