基于柔性衬底底栅结构的MoS₂TFT器件及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于柔性衬底底栅结构的MoS₂TFT器件及制备方法，该柔性衬底底栅结构的MoS₂TFT器件包括：柔性衬底，底栅金属薄膜，氧化铝薄膜，反应源薄膜，源漏电极，二硫化钼薄膜采用激光照射方法合成，源漏电极材料为双层金属，采用电子束蒸发工艺制备而成，源漏电极材料与二硫化钼薄膜表面接触紧密，接触电阻小。本发明制备的柔性衬底底栅结构的MoS₂TFT器件，工艺简单方便，并且在整个工艺流程中的制备温度低于150度，适合于制备柔性电子器件。此制备方法制备出的柔性底栅结构的MoS₂TFT器件不仅结构简单、性能稳定，而且载流子迁移率高、开关比大。