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绝缘栅晶体管、晶体管电路、晶体管装置及晶体管的操作方法

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摘要

晶体管具有在半导体主体层(10)的与栅电极(4)相对的侧上的源电极(22)，栅电极通过栅绝缘体(8)与主体层(10)绝缘。源电极(22)具有到半导体主体层(10)的电势势垒，例如肖特基势垒。至少一个漏电极(54)也连接到半导体主体层(10)。合适的源-漏电压和栅电压耗尽邻近源电极(22)的半导体主体层的区域，然后通过栅电压控制源-漏电流。

著录项

公开/公告号CN100385677C

专利类型发明授权
公开/公告日2008-04-30

原文格式PDF
申请/专利权人皇家飞利浦电子股份有限公司;
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申请/专利号CN03818986.0
发明设计人 J·M·香农;E·G·格尔斯特纳;
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申请日2003-07-29
分类号H01L29/417(20060101);H01L29/45(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人原绍辉
地址荷兰艾恩德霍芬
入库时间 2022-08-23 09:00:38

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2008-04-30

授权

授权
2005-11-23

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-09-28

公开

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