高硅高碳钢盘条奥氏体晶粒尺寸测量方法

摘要

本申请公开了一种高硅高碳钢盘条奥氏体晶粒尺寸测量方法，包括如下步骤：S1样品制备，将盘条加工成长度10cm、直径6mm的圆棒；S2样品处理，将所述圆棒在热模拟试验机上加热至850～1200℃，保温10‑60min，随后以30K/s的速度冷却至700‑720℃之间保温10min，最后迅速冷却至室温；S3样品观察，将步骤S2样品处理后的样品切割、镶嵌、磨抛后用苦味酸钠水溶液腐蚀，随后使用金相显微镜测量晶粒的尺寸。本发明的优点在于可以清晰的显现原奥氏体晶粒，且在样品整个截面上图像都非常清晰，成功率高，可以满足科学研究的需要。