一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法

摘要

一种使用多步原子层沉积技术生长均匀混合金属氧化物的方法，属于薄膜沉积技术领域。是将衬底加热到30～400℃并保持稳定，抽真空后通入惰性气体；通入金属氧化物A的前驱体0.02～20s，等待惰性气体清洗，再通入金属氧化物B的前驱体0.02～20s，等待惰性气体清洗；然后通入氧化气体0.02～20s，在衬底表面生成金属氧化物A与B的混合氧化物，等待惰性气体清洗；重复上述步骤从而生长出均匀混合金属氧化物。本发明方法利用多个间隔的金属前驱体脉冲填补了位阻导致的空位，活性位点自限制吸附更加充分，且避免过多的前驱体注入产生物理吸附，可生长出致密平坦的薄膜。由于位阻在同层随机产生，生长出的金属氧化物薄膜均匀随机掺杂。