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公开/公告号CN107424911B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-31
原文格式PDF
申请/专利权人 郑州轻工业学院;
申请/专利号CN201710276280.2
发明设计人 商继敏;陈鹏;吴杰;冯学超;杨阳;李强;杨坤;
申请日2017-04-25
分类号H01L21/02(20060101);H01L21/324(20060101);
代理机构41125 郑州优盾知识产权代理有限公司;
代理人张绍琳;张志军
地址 450002 河南省郑州市金水区东风路5号
入库时间 2022-08-23 11:07:12
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-31
授权
2017-12-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20170425
实质审查的生效
2017-12-01
公开
机译: 具有异质结的场效应晶体管,使用具有镓和磷化铟基底的半导体来提高性能
机译: 具有高效率的异质结场效应晶体管及其制备方法
机译: 基于具有抗血管内皮生长因子功能的导电高分子纳米材料的新型高性能场效应晶体管生物传感器的制备方法
机译:具有大型载波传输通道的新型2D / 2D MOSE_2 / SNSE异质结光催化剂显示出优异的光电化学性能
机译:由ZnSe纳米颗粒和MOSE2纳米割制备的新型0D / 2D异质结光催化剂的高光催化和光电化学性能
机译:AG_2SE /非晶MOSE_X异质结具有增强的可见光光催化降解性能的一步水热合成
机译:具有高击穿电压和Baliga品质因数的新型结型场板AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管
机译:具有铁电功能的新型金属氧化物金属异质结纳米线的合成,表征和性能测量。
机译:具有增强的光催化性能的新型Bi4Ti3O12 / Ag3PO4异质结光催化剂
机译:具有源极和通道异质结的III-V隧道场效应晶体管的新型量子结构
机译:具有抑制空穴注入的新型毫米波异质结JFET技术