机译:实验性交错源和N +口袋掺杂沟道III-V隧道场效应晶体管及其可扩展性
机译:T型III-V异质结隧穿场效应晶体管
机译:新型Si / SiGe异质结构和栅极诱导源极隧穿的研究,以改善p沟道隧道场效应晶体管
机译:p / sup ++ /-GaAs / n-InGaP异质结结构在宽间隙沟道场效应晶体管中的应用
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:三维运动中量子耦合的能量弛豫对石墨烯场效应晶体管隧穿电流的影响
机译:各种异质结场效应晶体管结构存取区隧道电流的理论研究