物理气相沉积法直接生长成份单一的金属纳米线

摘要

本发明公开了一种以物理气相沉积法直接生长成份单一的金属纳米线的技术，通过本方法直接生长的金属钼、钨纳米线，经过用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等进行分析，结果表明所获得的纳米材料成份单一、高度可控、垂直于衬底和有序。该方法还可以合成其它几种金属纳米线，如锝、钌、铱、铼和锇等，其生产工艺简单，工艺参数易于控制，并且成本低和生产效率高。