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公开/公告号CN107925427B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-17
原文格式PDF
申请/专利权人 高通股份有限公司;
申请/专利号CN201680047858.0
发明设计人 H·赫达亚蒂;M·达维施;L-C·常;
申请日2016-07-25
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 11:05:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-17
授权
2018-05-11
实质审查的生效 IPC(主分类):H04B1/525 申请日:20160725
实质审查的生效
2018-04-17
公开
机译: 低噪声放大器和陷波滤波器
机译:具有自动Q调谐陷波滤波器的低噪声放大器
机译:使用无源陷波滤波器的高镜像抑制SiGe低噪声放大器
机译:使用片上陷波滤波器的SiGe HBT低噪声放大器,用于K波段无线通信
机译:使用片上陷波滤波器的差分低噪声放大器
机译:IIR多陷波滤波器以及高速窄带和宽带滤波器的设计和实现方法。