连续等离子体中的原子层蚀刻

摘要

本发明涉及连续等离子体中的原子层蚀刻。基于通过评估待蚀刻材料和用于蚀刻材料的化学物质确定的去除能量阈值使用自限制反应来蚀刻衬底的方法和装置涉及连续等离子体的流动。工艺条件允许受控的自限制各向异性蚀刻，而不在用于蚀刻衬底上的材料的化学物质之间交替。良好控制的蚀刻前沿允许反应性自由基和惰性离子的协同效应以执行蚀刻，使得当衬底被反应性自由基改变并且被惰性离子移除时蚀刻材料，而当材料被反应性自由基改变但不存在惰性离子时或当存在惰性离子但材料没有被反应性自由基改变时不蚀刻材料。