一种二碲化钨纳米线材料的制备及二碲化钨纳米线材料

摘要

本发明公开了一种二碲化钨纳米线材料的制备及二碲化钨纳米线材料，二氧化硅/硅片为衬底，钨粉和碲粉为原料，在所述衬底的二氧化硅面采用化学气相沉积法进行二碲化钨纳米线的生长；所述二碲化钨纳米线的生长容器为石英管，石英管内通入氩气和氢气的混合气体；在所述的石英管内还设置石英试管，石英试管的封口端与混合气体流动方向相对，石英试管用于放置进行化学气相沉积的衬底；氩气的流量为100sccm；氢气的流量为10～40sccm；化学气相沉积的反应温度为600～800℃。该实验制备方法工艺简单，成本低廉，所制备的二碲化钨纳米线质量高。二碲化钨超大磁阻效应，超导电性等物理性质，具有有较高的研究意义与应用价值。