退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN106104805B
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-16
原文格式PDF
申请/专利权人 阿托梅拉公司;
申请/专利号CN201480071523.3
发明设计人 R·J·梅尔斯;武内秀木;E·特洛特曼;
申请日2014-11-21
分类号
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人金晓
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-23 11:01:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-16
授权
2016-12-07
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/66 申请日:20141121
实质审查的生效
2016-11-09
公开
机译: 包括超晶格穿通停止层的垂直半导体器件及相关方法
机译: 在不同深度具有超晶格和穿通停止层(PTS)的半导体器件及相关方法
机译:在室温下的磁石轨道耦合在超晶格中,由非晶格组成,包括非晶格组成层
机译:基于II型超晶格的扩展短波红外焦平面阵列,具有alassb / Gasb超晶格蚀刻停止层,以允许近可见光检测
机译:用于去除GaSb衬底的选择性InAs / GaSb应变层超晶格蚀刻停止层
机译:垂直堆叠水平纳米线技术中具有Si / SiGe超晶格I / O finFET架构的ESD二极管
机译:垂直载波运输性能和装置应用INAS / INAS1-XSBX Type-II超晶格和水溶性剥离技术
机译:基于III-V族半导体的p型掺杂超晶格的垂直传输研究
机译:低维导体中的高频振荡 堆叠方向电流引起的半导体超晶格
机译:Ga(as,p)应变层超晶格:具有可独立调节的带Gap和晶格常数的三元半导体